详细说明
| 二极管 | 1 | 反向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4016.4 | 只测： 0～100ma |
| 半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 4016 | 只测： 0～100ma | |||
| 2 | 反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4021.2 | 只测： 0～3.5kv | |
| 3 | 正向压降 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4011.4 | 只测： is：0a～6000a | |
| 半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 4011 | 只测： is：0a～6000a | |||
| 4 | 浪涌电流 | 半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 4066 | 只测： if：0a～9000a | |
| 5 | 反向恢复电荷 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1 | 只测： 1nc～100μc | |
| 反向恢复时间 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1 | 只测： 10ns～2us | ||
| 6 | 二极管反压变化率 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3476 | 只测： vr：5v～3300v， if：1a～1500a | |
| 7 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4064 | 只测： l：0.01mh～159.9mh， ias：0.1a～1500a | |
| 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3136 | 只测： ph：0.1w～80w | ||
| 8 | 总电容电荷 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 iec 60747-2:2016 6.1.8 | 只测： -3kv～3kv,0～1mhz | |
| 9 | 结电容 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 iec 60747-2:2016 6.1.8 | 只测： -3kv～3kv,0～1mhz |
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